Патент №2310949 - Фотодиодный приемник инфракрасного излучения

Фотодиодный приемник инфракрасного излучения содержит прозрачную для излучения спектральной области фотоприема полупроводниковую подложку, полупроводниковую варизонную структуру, размещенную на подложке. В составе варизонной структуры со стороны подложки последовательно друг на друге выполнены следующие слои. Слой, полученный сильным легированием, высокопроводящий одного типа проводимости с фиксированным значением ширины запрещенной зоны. Слой другого типа проводимости с изменением ширины запрещенной зоны в виде "горбика", с плавным нарастанием ее значения от значения, соответствующего ширине запрещенной зоны предыдущего слоя, и затем с более плавным спадом до значения, соответствующего ширине запрещенной зоны предыдущего слоя или меньше. Рабочий слой того же типа проводимости, что у предыдущего слоя, с фиксированной шириной запрещенной зоны, равной значению окончания спада ширины запрещенной зоны в предыдущем слое и равной значению ширины запрещенной зоны в первом из указанных слоев или меньше. В рабочем слое создан p-n переход, выходящий на его поверхность. Слой, расположенный на p-n переходе рабочего слоя, с плавным нарастанием значения ширины запрещенной зоны от значения, соответствующего рабочему слою, и типом проводимости, противоположным относительно рабочего слоя. Изобретение обеспечивает достижение максимальной ампер-ваттной чувствительности, повышение предельной частоты фотоприема и достижение однородности параметров по площади. 11 з.п. ф-лы, 2 ил.