Патент №2318267 - Способ удаления резистивной маски

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций. Сущность изобретения: в способе удаления резистивной маски, включающем обработку поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций для удаления фоторезиста с поверхности, обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H2SO4 ) и перекиси водорода (Н2О 2) в соотношении 3:1 при температуре Т=125°C в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку сначала в теплой деионизованной воде (Н2О) при температуре T=65-700C в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с четырехсторонним переливом, с расходом воды 400 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой ванне, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 6 штук. Техническим результатом изобретения является удаление резистивной маски, сокращение технологических операций и получение чистой поверхности от фотолитографических загрязнений.