Патент №2318270 - Способ изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. Изобретение обеспечивает снижение технологического брака и повышение эффективности производства приборов с заданными параметрами. Сущность изобретения: в способе изготовления приборов на основе арсенида галлия, включающем формирование контактов, фотолитографию, скрайбирование пластин на отдельные кристаллы и термокомпрессионную сборку в корпус, после сборки в корпус проводят облучение протонами с энергией в интервале от 10 до 60 МэВ, при этом дозу облучения выбирают в интервале от 1·105 Рад (GaAs) до 1·10 6 Рад (GaAs), а после облучения проводят токовую тренировку в непрерывном режиме питания при температуре 85±5°С в течение 10-24 часов. 2 ил.