Патент №2343587 - Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия, надежности и создание структуры с управляемыми характеристиками захвата и хранения зарядовой информации, увеличение ее объема и плотности. Сущность изобретения: в запоминающем устройстве с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков, содержащем полупроводниковую подложку, диэлектрический слой, проводящий слой и токоподводящие электроды, диэлектрический слой состоит из первой пленки широкозонного диэлектрика, наносимой на поверхность полупроводниковой подложки, пленки узкозонного диэлектрика и второй пленки широкозонного диэлектрика. Предложен также способ получения запоминающего устройства. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.