Патент №2383083 - Солнечный элемент (варианты)

Согласно изобретению между контактными слоями солнечного элемента расположена диодная структура. В диодной структуре последовательно сформированы базовый поглощающий слой полупроводника заданного типа проводимости, многослойная структура из слоев нанообъектов из материала с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем у базового материала, и слоев базового материала (спейсеров), разделяющих слои нанообъектов, и слой полупроводника с типом проводимости, отличным от заданного. Контактные слои изготовлены сплошными, из Al, многократно отражающими излучение, подаваемое в солнечный элемент под углом к плоскости контактных слоев. Также предложен второй вариант выполенния солнечного элемента - могоэлементый многослойный солнечный элемент. За счет многократного отражения поглощаемого излучения контактными слоями увеличивается оптический путь фотонов, повышается возможность их поглощения и, в конечном счете, увеличивается КПД. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.