Патент №2391640 - Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления в условиях нестационарных температур (термоудара) измеряемой среды. Техническим результатом изобретения является повышение точности измерения давления в условиях воздействия термоудара за счет улучшения линейности и уменьшения влияния температурных деформаций мембраны на выходной сигнал измерительного моста. Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы (НиМЭМС) содержит корпус, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из упругого элемента - мембраны, жестко заделанной по контуру, сформированной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, герметизирующей контактной колодки, соединительных проводников. В герметизирующей контактной колодке образованные в гетерогенной структуре тензорезисторы, установленные по дуге окружности и в радиальном направлении, состоят из идентичных тензоэлементов в форме квадратов, соединенных тонкопленочными перемычками, включенными в измерительный мост. Центры окружных и радиальных тензоэлементов размещены по окружности, радиус r которой определен по соотношению r=0,707 rм, где r м - радиус мембраны. 10 ил.

Патент №2391640, изображение 1
Патент №2391640, изображение 2
Патент №2391640, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК B82B 3/00Изготовление или обработка наноструктур
МПК G01L 9/04Измерение постоянного или медленно меняющегося давления газообразных и жидких веществ или сыпучих материалов с помощью электрических или магнитных элементов, чувствительных к механическому давлению; передача и индикация перемещений элементов, чувствительных к механическому воздействию, используемых для измерения давления с помощью электрических или магнитных средств - резисторных тензометров