Патент №2422943 - Планарный магнитотранзисторный преобразователь
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Планарный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке, отличается геометрией областей эмиттера и коллекторов. Расстояние между областями эмиттера и коллекторов выбирается переменной величины, ширина коллекторов увеличивается при увеличении расстояния от эмиттера до коллектора, коллекторы расположены попарно с каждой стороны эмиттера и имеют разные углы наклона между сторонами эмиттера и коллекторов, левые и правые относительно эмиттера коллекторы соединены металлизацией и имеют два общих вывода коллекторов. Планарный магнитотранзисторный преобразователь в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла, и исключает чувствительность к магнитному полю, действующему параллельно поверхности кристалла. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК H01L 27/22 | Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее - содержащие компоненты, в которых применяются гальваномагнитные эффекты, например эффект Холла; в которых используются другие аналогичные эффекты магнитного поля |
МПК H01L 29/82 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору 29/96 имеет преимущество |