Патент №2439748 - Планарный биполярный магнитотранзистор
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: планарный биполярный магнитотранзистор содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Области эмиттера и коллекторов располагаются на большом расстоянии друг от друга вдоль вертикальной части pn-перехода база-карман и на небольшом расстоянии от границы области объемного заряда pn-перехода база-карман. Контакты к карману относительно перехода база-карман располагаются напротив коллекторов, контакты к базе располагаются между эмиттером и коллекторами и ограничивают протекание тока инжектированных носителей заряда напрямую между эмиттером и коллекторами. С каждой стороны от полоскового эмиттера расположены по два коллектора, левые и правые относительно эмиттера коллекторы соединены металлизацией и имеют два общих вывода коллекторов. Разница токов коллекторов в магнитном поле соответствует измеряемой составляющей вектора магнитной индукции, перпендикулярной поверхности кристалла. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 5 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 29/82 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору 29/96 имеет преимущество |