Патент №2443032 - Способ изготовления высокоомных и низкоомных тонкопленочных резисторов на одной подложке

Изобретение относится к области тонкопленочной микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении резистивных микросборок, а также мощных резистивных ВЧ аттенюаторов, содержащих низкоомные и высокоомные резисторы. В способе получения высокоомных и низкоомных тонкопленочных резисторов на одной подложке последовательно напыляют на подложку две резистивные пленки, сначала с высоким удельным поверхностным сопротивлением, затем с низким удельным поверхностным сопротивлением, проводниковый слой и последовательно формируют методами фотолитографии сначала низкоомные резисторы, затем высокоомные резисторы - путем селективного химического стравливания низкоомной резистивной пленки с поверхности высокоомной резистивной пленки, в качестве высокоомной и низкоомной резистивной пленки используют один и тот же материал, разделенный промежуточной разделяющей пленкой с удельным поверхностным сопротивлением, превышающим удельное поверхностное сопротивление высокоомной резистивной пленки. В качестве низкоомной и высокоомной резистивной пленки используют пленки тантала или нитрида тантала, а в качестве промежуточной разделяющей пленки используют пленки иттрия. 1 з.п. ф-лы.