Патент №2456715 - Диод ганна

Изобретение относится к микроэлектронике. Диод Ганна включает активный слой с изменяющимся, вдоль электрического поля, уровнем легирования, при этом согласно изобретению толщина активного слоя диода Ганна изменяется в диапазоне (1.0-1.8) мк, уровень легирования носителей тока в активном слое равномерно изменяется от (1.1-1.4)* 1016 см-3, на первой границе активного слоя, до (1.8-2.4)*1016 см-3, на второй границе активного слоя. Изобретение обеспечивает минимизацию перепада уровня генерируемой СВЧ мощности при сохранении широкого диапазона перестройки частоты и высоком уровне мощности. 1 ил.

Патент №2456715, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 47/02Приборы с отрицательным объемным сопротивлением, например приборы с эффектом Ганна; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки таких приборов или их частей - приборы с эффектом Ганна