Патент №2458432 - Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности конструкции схемы, улучшение электрических характеристик и теплоотвода от кристаллов транзисторов. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, расположенную обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании, в диэлектрической подложке выполнено отверстие, а на металлическом теплоотводящем основании выполнен выступ, который совпадает в плане с отверстием в диэлектрической подложке, на верхней плоскости выступа теплоотводящего основания выполнена выемка, сквозная со стороны плоских балочных выводов кристаллов транзисторов, на верхней плоскости выступа теплоотводящего основания с двух сторон кристалла одного из транзисторов выполнены монтажные площадки, снабженные хорошо теплопроводящей пластиной, в хорошо теплопроводящей пластине выполнена канавка, в которой расположен и закреплен один кристалл другого транзистора. Хорошо теплопроводящая пластина выполнена единой для кристаллов транзисторов каждой пары, при этом расстояние между парами транзисторов S и теплопроводность материала пластины определены согласно заявленному условию. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Патент №2458432, изображение 1
Патент №2458432, изображение 2
Патент №2458432, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 25/16Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле - блоки, в которых все используемые приборы относятся к типам, предусмотренным в двух или более различных основных группах 27/00