Патент №2505885 - Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе

Изобретение относится к измерительной технике. В способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой получают гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2 )100%-x(SnO2)x. Массовую долю компонента х определяют (задают) в интервале 50% х 90% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом. Золь приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H 2O). Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 10 ил.

Патент №2505885, изображение 1
Патент №2505885, изображение 2
Патент №2505885, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК B82B 3/00Изготовление или обработка наноструктур
МПК G01L 21/12Вакуумметры - с помощью измерения изменений электрического сопротивления измерительных элементов, например нитей; вакуумметры Пирани
МПК H01L 21/20Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

Похожие патенты

Патент 2521914 Износостойкое наноструктурное покрытие
Патент 2521610 Способ изготовления мдм-катода
Патент 2521139 Способ определения коэффициента теплопроводности наноструктурированного поверхностного слоя конструкционных материалов
Патент 2511279 Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур
Патент 2486283 Устройство для каталитического химического осаждения из паровой фазы
Патент 2476954 Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства