Патент №2513620 - Композиция для фотоактивированного травления пленок диоксида кремния
Изобретение может быть использовано при производстве интегральных микросхем и других электронных устройств, использующих планарную технологию их изготовления, основанную на фотолитографических процессах. Композиция для фотоактивированного травления пленок диоксида кремния включает полимерную основу - полиметилметакрилат, фоточувствительный компонент - фторид аммония в растворе трифторуксусной кислоты, растворитель - ацетон, протофильный реагент - дифениламин. Изобретение позволяет упростить технологический процесс получения фотолитографического рисунка на слое кремния, увеличить скорость фототравления, существенно уменьшить дефекты получаемых изделий. 1 табл., 4 пр.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК C08K 13/02 | Использование смесей компонентов, не отнесенных только к одной из основных групп 3/00 - органические и неорганические компоненты |
| МПК C09D 133/12 | Составы для нанесения покрытий на основе гомополимеров или сополимеров соединений, содержащих один или более ненасыщенных алифатических радикалов, каждый из которых содержит только одну углерод-углеродную двойную связь, и только один из них - только одну концевую карбоксильную или карбоксилатную (солевую), карбоксангидридную, карбоксэфирную, карбоксамидную, карбоксимидную или карбонитрильную группу; составы для нанесения покрытий на основе их производных - гомополимеры или сополимеры метилметакрилата |
| МПК C09K 13/00 | Составы для травления, поверхностного осветления или декапирования |