Патенты автора — Дудченко Н.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 3, получены - 1992-2008
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления структуры кремний-на-изоляторе в составе подложки Si формируют аморфный слой диэлектрика...
- Способ получения структур кремний-на-изоляторе
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для создания современных материалов микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является устранение преципитатов кислорода в КНИ структурах. Сущность изобретения:...
- Реверсивный двоичный счетчик
Использование: изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть применено в электронных устройствах, где необходимо осуществлять операции прямого и обратного счета импульсов и учитывать при этом знак результата. Сущность...