Патенты автора — Иовдальский В.А.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 45, получены - 1991-2012
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Способ изготовления микрополосковых плат для гибридных интегральных схем
Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: при изготовлении микрополосковых плат проводящую пленку напыляют толщиной 2-20 мкм, а антикоррозионное защитное покрытие наносят в два этапа с использованием защитной маски сначала из...
- Способ изготовления деталей из керамики для гис свч
Использование: электронная техника. Технический результат: снижение трудоемкости изготовления и стоимости деталей и повышение точности изготовления. Сущность изобретения: в качестве исходного материала используют готовые подложки из отожженной...
- Корпус-крышка для гибридной интегральной схемы
Изобретение относится к электронной технике. Технический результат - улучшение электрических характеристик схемы и снижение стоимости корпуса-крышки. Достигается тем, что корпус-крышка для гибридной интегральной схемы выполнен из диэлектрического...
- Полупроводниковый прибор
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Предложенный полупроводниковый прибор содержит подложку, на которой расположен по крайней мере один пленочный проводник с круглой контактной площадкой, которая окружена зоной, заполненной...
- способ изготовления выводных рамок
Изобретение позволяет сократить трудоемкость изготовления выводных рамок для полупроводниковых приборов за счет группового их изготовления и минимизации числа операций, а также позволяет упростить конструкцию и снизить напряжение в структуре рамок за...
- Выводная рамка для свч и квч полупроводникового прибора
Предложена конструкция выводной рамки для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, обеспечивающая улучшение электрических характеристик за счет уменьшения потерь энергии СВЧ сигнала, что достигается выбором материала рамки с хорошей проводимостью и...
- Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора
Использование: при монтаже кристаллов полупроводниковых приборов в объеме подложки гибридной интегральной схемы или в основании корпусов полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - обеспечение за счет предотвращения деформации...
- Гибридная интегральная схема газового сенсора
Использование: электронная техника, в миниатюрных измерительных преобразователях концентрации газа. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема газового сенсора содержит подложку в виде периферийной части в форме кольца и центральной части в...
- Многослойная гибридная интегральная схема свч и квч диапазонов
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов содержит пакет скрепленных между собой твердых диэлектрических плат с топологическим рисунком металлизации по...
- Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона глубина углублений в металлическом основании выбрана такой, что лицевая поверхность кристаллов и металлическое основание...