Патент №2148874 - Многослойная гибридная интегральная схема свч и квч диапазонов

Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов содержит пакет скрепленных между собой твердых диэлектрических плат с топологическим рисунком металлизации по меньшей мере на одной стороне плат и навесными кристаллами бескорпусных полупроводниковых приборов, расположенными в углублениях плат и закрепленными в них связующим веществом. Контактные площадки кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации. Углубления для кристаллов выполнены в тех платах, на которых устанавливаются кристаллы по меньшей мере на одной из сторон платы. Глубина углублений обеспечивает размещение лицевых поверхностей кристаллов в одной плоскости с поверхностью платы, на которой выполнено углубление, а расстояние между боковыми стенками углубления и кристаллами составляет 1 - 180 мкм. Расстояние между лицевой поверхностью приборов и прилегающей в пакете платы по отношению к плате, на которой установлены кристаллы, составляет 1 - 100 мкм. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик и улучшение условий теплоотвода от кристаллов. 2 з. п.ф-лы, 1 ил.

Патент №2148874, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 25/00Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле
МПК H01L 27/00Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее