Патенты автора — Кадушкин В.И.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 5, получены - 1991-2004
- B82 – Нанотехнология
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Полупроводниковая наноструктура с композитной квантовой ямой
Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано для реализации мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая наноструктура...
- Сверхпроводящая полупроводниковая наноструктура с квантовыми ямами
Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости....
- Способ получения квантово-размерных полупроводниковых структур
Использование: при изготовлении квантово-размерных полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ включает формирование квантово-размерных областей в процессе выращивания структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование производят...
- Фотодетектор на основе полупроводниковой структуры с квантовыми ямами
Использование: изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs , чувствительных к ИК-излучению. Сущность изобретения: в фотодетекторе на основе...
- Способ определения скорости роста полупроводниковых пленок и устройство для его осуществления
Сущность: генератор 9 синхронно с вращением подложкодержателя 4 вырабатывает импульсы, отпирающие пушку 5 быстрых электронов, которая вырабатывает импульсы с периодом, равным периоду вращения подложки. Дифрагированный пучок электронов регистрируется...