Патенты автора — Яковлев Ю.П.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 12, получены - 1991-2012
- A61 – Медицина и ветеринария; гигиена
- B23 – Металлорежущие станки; способы и устройства для обработки металлов, не отнесенные к другим классам
- C22 – Металлургия; сплавы черных или цветных металлов; обработка сплавов или цветных металлов
- F02 – Двигатели внутреннего сгорания
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения
Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) AIIIBV с активной областью (2) в форме диска с отверстием в центре на основе гетероструктуры, выполненной из твердых растворов AIIIBV, первый омический контакт...
- Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты)
Полупроводниковый источник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) с двумя оптически связанными и геометрически разнесенными дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10) в виде гетероструктур. На поверхность...
- Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения
Изобретение представляет собой высокоэффективный полупроводниковый фотодиод для детектирования ИК-излучения, который содержит содержит две сформированные на подложке мезы, поверхность одной из которых является чувствительной площадкой, а другой...
- Полупроводниковый частотно-перестраиваемый источник инфракрасного излучения
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым частотно-перестраиваемым источникам инфракрасного (ИК) излучения на основе лазера с дисковым резонатором, работающего на модах шепчущей галереи (Whispering Gallery...
- Резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения
Резонатор имеет круговое сечение и изготовлен в виде тела вращения. Тело вращения включает в себя активную область, обкладочные слои и часть подложки. Образующая боковой поверхности тела вращения имеет наклон по отношению к нормали гетероструктуры....
- Способ получения нитридной пленки на поверхности гетероструктуры на основе gasb
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности антимонида галлия. Сущность изобретения: для осуществления способа получения нитридной пленки получают...
- Способ получения нитридной пленки на поверхности gasb
Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе. Сущность изобретения: способ получения...
- Авиационный турбогенератор стабильной частоты
Использование: машиностроение, в частности авиационные турбогенераторы стабильной частоты. Сущность изобретения: для предотвращения выбросов забросов оборотов турбины при запуске турбогенератора во всем диапазоне рабочих давлений воздуха на входе в...
- Режущая пластина для механического крепления
Использование: в области обработки материалов резанием. Сущность изобретения: в режущей пластине с механическим креплением, состоящей из режущей части, выполненной из твердого сплава, и стального основания, соединенных между собой слоем припоя, на...
- Устройство для введения лекарственного препарата
Использование: в медицинской технике, а именно в устройствах для введения лекарственного препарата. Сущность изобретения: один из вставных элементов полого корпуса в исходном положении контактирует с одной из торцевых поверхностей концевого бурта...