Патенты автора — Заддэ В.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 33, получены - 1998-2010
- C01 – Неорганическая химия
- C22 – Металлургия; сплавы черных или цветных металлов; обработка сплавов или цветных металлов
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- F24 – Нагрев; вентиляция; печи и плиты
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H02 – Производство, преобразование и распределение электрической энергии
- Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию
Изобретение относится к атомной и полупроводниковой технике, в частности к изготовлению маломощных источников электроэнергии с использованием радиоактивных изотопов и полупроводниковых преобразователей. Предлагается конструкция полупроводникового...
- Способ создания контактного рисунка из никеля на пластинах кремния
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов из кремния, в частности к изготовлению фотопреобразователей. Способ создания контактного рисунка из никеля на пластинах кремния включает создание диэлектрической пленки с окнами,...
- Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь (варианты) и способ его изготовления (варианты)
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит матрицу из скоммутированных параллельно с помощью контактов микроэлементов с базовой областью...
- Конструкция и способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. В кремниевом фотопреобразователе с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина...
- Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты)
Изобретение относится к конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. Сущность изобретения: в полупроводниковом фотопреобразователе, содержащем матрицу из скоммутированных...
- Полупроводниковый фотопреобразователь (варианты) и способ его изготовления
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов. Изобретение позволяет повысить эффективность преобразования интенсивных потоков излучения. Сущность изобретения: полупроводниковый фотопреобразователь...
- Способ сплавления порошка кремния
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Слитки кремния получают из порошка кремния путем плавления кремния в тигле и его очистки с последующей направленной кристаллизацией в охлаждаемом тигле. Порошок кремния в потоке...
- Полупроводниковый фотопреобразователь и способ его изготовления
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит рабочую поверхность, на которую падает излучение, базовую...
- Шихта для выплавки чистого металлического кремния
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к технологии получения металлического кремния как исходного сырья для получения солнечного кремния. Шихта содержит двуокись кремния в виде аморфной двуокиси кремния, в качестве...
- Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор выполнен в виде скоммутированных контактами матрицы из микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области р- или...