Патенты — Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники
Страна - Россия (RU), количество патентов - 16, получены - 2003-2011 , коллектив авторов - 36 человек.
- C01 – Неорганическая химия
- C30 – Выращивание кристаллов
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами
Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами выполнен в виде монокристаллической кремниевой пластины, с первой стороны которой сформированы тензорезисторы и...
- Интегральный преобразователь давления с одним жестким центром
Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: интегральный преобразователь давления с одним жестким центром выполнен в виде монокристаллической кремниевой пластины, с первой стороны которой сформированы тензорезисторы и...
- Способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной индукции
Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля. Сущность изобретения: способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной...
- Способ изготовления интегрального высокодобротного кремниевого микромеханического резонатора
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным высокодобротным кремниевым микромеханическим резонаторам, использующим в качестве резонирующего элемента балочные и консольные структуры из монокристаллического кремния, размещенные...
- P-i-n-диодный преобразователь нейтронного излучения
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения....
- Способ получения слоя диоксида кремния и устройство для его реализации
Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем. Для получения слоя диоксида кремния загружают кассеты с кремниевыми подложками через открытую вакуумную заслонку в камеру осаждения реактора, закрывают...
- Способ изготовления самомасштабированной самосовмещенной транзисторной структуры
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самомасштабируемой самосовмещенной транзисторной структуры включает формирование на подложке первого типа проводимости первого диэлектрического слоя, сплошного введения...
- Способ обнаружения взрывчатого вещества в контролируемом предмете
Использование: для обнаружения взрывчатого вещества в контролируемом предмете. Сущность: заключается в том, что облучают контролируемый предмет электромагнитным излучением, вызывающим ядерный квадрупольный резонанс атомов, по меньшей мере, одного...
- Способ самосовмещенного формирования изоляции элементов интегральных микросхем и поликремниевых контактов к подложке и скрытому слою
Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных микросхем (ИМС). Сущность изобретения: в способе самосовмещенного формирования изоляции элементов ИМС и поликремниевых контактов к подложке и n+ - скрытому слою на полупроводниковой...
- Магниторезистивный датчик
Изобретение может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на...