Патенты — АО открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон"
Страна - Россия (RU), количество патентов - 30, получены - 1992-2003 , коллектив авторов - 49 человек.
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- G01 – Измерение
- G04 – Часы и прочие измерители времени
- G05 – Управление; регулирование
- G06 – Вычисление; счет
- G11 – Накопление информации
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Способ изготовления автомасштабируемой бикмоп структуры
Использование: микроэлектроника, технология изготовления БиКМОП структур, включающих биполярные и полевые транзисторы с субмикронными размерами элементов. Сущность изобретения: в кремниевой подложке создают карманы первого и второго типа проводимости,...
- Способ формирования слоев поликристаллического кремния
Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку...
- Способ изготовления биполярного транзистора
Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах, изготовленных с использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора, включающем...
- Способ изготовления в едином технологическом цикле микроэлектромеханического устройства и электронной схемы управления
Изобретение относится к способу изготовления в едином технологическом цикле микроэлектромеханического устройства и электронной схемы управления. Способ включает формирование на полупроводниковой пластине изоляционного слоя оксида методом окисления в...
- Способ реактивно-ионного травления нитрида кремния
Использование: в микроэлектронике для травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ реактивно-ионного травления нитрида кремния включает травление поверхности Si3N4 в плазме газовой...
- Способ формирования переходных контактных окон
Способ относится к области микроэлектроники, к технологии изготовления интегральных схем на этапе формирования многоуровневой металлической разводки. Сущность изобретения: для формирования наклонного профиля переходных окон в диэлектрике сформированная...
- Тестовый объект для калибровки растровых электронных микроскопов
Изобретение относится к области электронной микроскопии. Техническим результатом является повышение точности и уменьшение времени измерений линейных размеров элементов интегральных схем с помощью растровых электронных микроскопов (РЭМ). Тестовый объект...
- Преобразователь длительность-код
Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в устройствах измерения временных интервалов. Техническим результатом является повышение разрешения преобразования. Устройство содержит двоичный счетчик, информационный триггер. 2...
- Способ реактивного ионно-плазменного травления слоев ta, tan, taal
Использование: технология изготовления ИС на этапе формирования резисторов и защитных металлических покрытий. Сущность изобретения: процесс реактивного ионно-плазменного травления пленок Та, TaN, TaAl в плазме BCl3-Cl2-CCl4-N2 с дотравливанием остатков...
- Устройство сложения с ускоренным переносом
Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в цифровых вычислительных устройствах. Технический результат заключается в повышении разрядности устройства сложения без увеличения количества каскадов в критическом тракте...