МПК H01L 27/115 – Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее - электрически программируемые постоянные запоминающие устройства
Патенты в категории:
- Способ регулирования сопротивления твердотельных приборов и резистивная матрица памяти на основе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на...
- Ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти включает...
- Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства
Изобретение относится к вычислительной технике. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке...
- Ячейка матрицы энергонезависимой памяти
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка включает полупроводниковую шину первого уровня, расположенную на...
- Ячейка памяти
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств. Сущность изобретения: в ячейке памяти, запоминающий элемент которой включает первый электрод, второй электрод и слой диэлектрика, расположенный...
- Ячейка матрицы памяти
Использование: изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка матрицы памяти включает проводящую шину первого уровня,...
- Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур
Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости. Техническим результатом является минимизация усталостных процессов в запоминающих устройствах, основанных на органических и, в...
- Устройство памяти и способ изготовления
Изобретение относится к области электрически записываемых и стираемых энергонезависимых флэш-ЗУ. Сущность изобретения: устройство памяти выполнено из запоминающих ячеек с запоминающим транзистором, в котором на верхней стороне полупроводниковой...