МПК H01L 29/786 – Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - тонкопленочные транзисторы
Патенты в категории:
- Полупроводниковое устройство и способ его изготовления
Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину...
- Полупроводниковое устройство
Изобретение относится к полупроводниковому устройству со схемой защиты от электростатического разряда. Полупроводниковое устройство включает в себя тонкопленочный диод и схему защиты с защитным диодом. Тонкопленочный диод включает в себя...
- Тонкопленочный транзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора
Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, который содержит конденсатор, включенный между затвором и истоком, а также к сдвиговому регистру, к схеме управления шиной сигналов развертки, дисплейному устройству и способу подстройки...
- Способ изготовления инвертора и инвертор
Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем. Сущность изобретения: способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных...
- Полевой транзистор, использующий оксидную пленку для передачи информации, и способ его изготовления
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, включающем в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, оксидная пленка включает канальную часть, истоковую часть и стоковую часть, и в котором...
- Полевой транзистор
Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем активный слой и изолирующую затвор пленку, активный слой содержит слой оксида, содержащего In, Zn...
- Устройство памяти на тонкопленочной структуре кремния на стекле
Изобретение относится к полупроводниковым приборам оптоэлектроники и устройствам памяти. Сущность изобретения: в устройстве памяти, включающем подложку с нанесенными тонкими слоями оксида церия и кремния, и металлическими электродами для записи и...
- Полевой транзистор, имеющий канал, содержащий оксидный полупроводниковый материал, включающий в себя индий и цинк
Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное...
- Полевой транзистор
Использование: изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, активный слой содержит аморфный оксид, в...
- Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием
Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012 /см3 до...