МПК H01L 29/812 – Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - с затвором типа барьера Шотки
Патенты в категории:
- Мощный полевой транзистор свч
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полевой транзистор СВЧ содержит полупроводниковую подложку со структурой слоев, которая выполнена в виде прямой последовательности полуизолирующего слоя, n+ типа проводимости...
- Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Мощный СВЧ полевой транзистор с барьером Шотки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным слоем, гребенку из чередующейся, по меньшей мере, более одной последовательности единичных...
- Интегральный логический элемент "не" на основе сверхрешетки второго типа
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. Для повышения быстродействия и уменьшения занимаемой площади в интегральный логический элемент "не" введены...
- Интегральный логический элемент "не" на основе туннельного эффекта
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. Технический результат заключается в повышении быстродействия. В интегральном логическом элементе (ИЛЭ) "НЕ" на основе туннельного эффекта с парафазными выходами...
- интегральный полевой транзистор шоттки со статической индукцией
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Сущность: в полевой транзистор Шоттки со статической индукцией, содержащий полупроводниковую...