МПК H01L 33/32 – Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов - содержащие азот
Патенты в категории:
- Полупроводниковый светоизлучающий элемент
Полупроводниковый светоизлучающий элемент содержит подложку, а также выполненные из AlxGa1-x N n-контактный слой, активный слой, барьерный слой и р-контактный слой. Подложка выполнена из AlN, а р-контактный слой - из GaN. Между подложкой и n-контактным...
- Фотолюминофор желто-оранжевого свечения и светодиод на его основе
Изобретение относится к электронной технике и освещению и может быть использовано при изготовлении осветительных и информационных устройств. Фотолюминофор имеет формулу( Ln)3Al5-x-yLiyMgx/2 Six/2Fq/3O12-qN2y+q/2 , где 0,001 x 0,05; 0,0001
- Полупроводниковый элемент, излучающий свет в ультрафиолетовом диапазоне
Полупроводниковый элемент содержит многослойную структуру, выполненную из нитридов твердых растворов металлов третьей группы. Многослойная структура включает темплейт, на котором последовательно расположены: активный слой и контактные слои с различным...
- Полупроводниковый прибор со встроенными контактами (варианты) и способ изготовления полупроводниковых приборов со встроенными контактами (варианты)
Изобретение относится к микроэлектронике. Предложен полупроводниковый прибор, содержащий подложку; первый контакт; первый слой легированного полупроводникового материала, осажденный на подложку; полупроводниковую область перехода, осажденную на первый...
- Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями (варианты)
Светоизлучающий прибор содержит полупроводниковую структуру на основе нитрида элемента III группы, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; и текстурированную поверхность, расположенную внутри 1000 Å...
- IIi-нитридное светоизлучающее устройство со светоизлучающей областью с двойной гетероструктурой
Изобретение относится к микроэлектронике. Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит область n-типа; область p-типа; III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. III-Нитридный светоизлучающий...