Патент №2007829 - Преобразователь переменного напряжения в постоянное

Использование: изобретение относится к электротехнике, радиоэлектронике и предназначено для использования в преобразовательных устройствах в качестве источника вторичного электропитания с емкостным накопителем для импульсной нагрузки. Сущность изобретения: в преобразователе переменного напряжения в постоянное, содержащем трансформатор 1, выпрямитель 2, входные выводы которого подключены к крайним выводам вторичной обмотки трансформатора, конденсатор 3 и нагрузку 4, включенные параллельно и подключенные между выходным выводом выпрямителя и выводом от средней точки вторичной обмотки трансформатора, два МДП - транзистора с п - каналом 5,6, два МДП - транзистора с р - каналом 7,8 и два диода 9,10, катод первого из которых подключен к аноду второго диода и второй клемме источника входного напряжения, первая клемма которого подключена к первому выводу первичной обмотки трансформатора, второй вывод которой подключен к стокам первого МДП - транзистора с п - каналом и первого МДП - транзистора с р - каналом, исток и подложка которого подключены к катоду второго диода и истоку с подложкой второго МДП - транзистора с р - каналом, сток которого подключен к стоку второго МДП - транзистора с п - каналом, исток и подложка которого подключены к аноду первого диода и истоку с подложкой первого МДП - транзистора с п - каналом, затвор которого подключен к затвору первого МДП - транзистора с р - каналом, а затвор второго МДП - транзистора с п - каналом подключен к затвору второго МДП - транзистора с р - каналом, достигается улучшение использования трансформатора за счет полного размагничивания /перемагничивания/ его сердечника путем снабжения первичной обмотки трансформатора витками, образующими дополнительную секцию, подключенную одним своим выводом к первому выводу первичной обмотки трансформатора, а вторым своим выводом - к стоку второго МДП - транзистора, затвор которого подключен ко второму выводу управления, а первый вывод управления подключен к затвору первого МДП - транзистора. 2 ил.