Патент №2022067 - Способ получения кристаллического полупроводникового материала и устройство для его осуществления

Изобретение относится к металлургии цветных металлов и предназначено для получения особо чистых кристаллов кремния. Выращивание ведут из вращающегося расплава при одновременном воздействии на него постоянного магнитного поля. Постоянное магнитное поле создают регулируемым по направлению и/или величине, его силовые линии направлены тангенциально радиальной составляющей вращающегося расплава. Устройство содержит тигель, соединенный со средством вращения. Вокруг тигля размещены нагреватель и магнитная катушка, соединенная с источником постоянного тока. Витки катушки расположены по образующим цилиндричекого каркаса. Источник постоянного тока выполнен с реверсируемой полярностью и/или регулируемой амплитудой. Цилиндрический каркас может быть выполнен полым. В полости установлена дополнительная магнитная катушка, соединенная с источником переменного тока. 2 н. и 1 з.п.ф-лы, 4 ил.