Патент №2030489 - Способ выращивания монокристаллов халькогенидов цинка или кадмия и твердых растворов на их основе и устройство для его осуществления

Способ включает вакуумирование тигля с исходным материалом и навеской летучего компонента. В качестве навески используют металлический цинк или кадмий, который размещают в затравочной камере. Затем нагревают навесу до температуры кипения и ее парами продувают исходный материал. Тигель заполняют инертным газом, расплавляют исходный материал, гомогенизируют расплав с последующей кристаллизацией. Устройство для осуществления способа содержит тигель с крышкой. В тигле размещена перфорированная перегородка, разделяющая его на затравочную камеру и камеру для исходного материала. Крышка выполнена в виде перевернутого стакана, установленного свободно в тигле. В верхней части крышка имеет ограничитель перемещения. На боковой поверхности тигля и крышки выполнены отверстия. 2 с.п. ф-лы, 2 ил.