Патент №2034779 - Способ получения поликристаллов на основе плотных модификаций нитрида бора

Использование: в производстве теплопроводного диэлектрического материала на основе плотных модификаций нитрида бора, который может быть использован в электронной технике. Сущность: способ получения поликристаллов на основе плотных модификаций нитрида бора включает воздействие высоких давлений (7,0 - 9,5 ГПа) и температур (1800 - 2400°С) в течение 40 - 90 с на исходной пиролитический нитрид бора, содержащий не менее 10 мас,% ромбоэдрического нитрида бора. 1 табл.