Патент №2076475 - Тонкопленочная структура

Область использования изобретения: изобретение относится к области конструирования и технологии изготовления тонкопленочных структур. Сущность изобретения: заключается в том, что в тонкопленочной структуре, содержащей подложку 1 с резисторами 10 и конденсаторами 9 в виде слоев: первого - проводящего 2, диэлектрического 3, второго - проводящего 2 и резистивного 5, локально, в местах формирования конденсаторов 9 между диэлектрическим 3 и резистивным 5 слоями размещен буферный 4 слой металла с высокой электропроводностью, а диэлектрический 3 слой выполнен из материала с малыми потерями на СВЧ. 2 ил.