Патент №2109371 - Способ изготовления интегральных схем

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем. Сущность: предлагается способ изготовления как дискретных приборов, так и интегральных схем, формируемых в полупроводниковой подложке, которая затем утоняется с помощью химического травления. Равномерность травления обеспечивается за счет формирования с обратной стороны пластины геттерирующего слоя и последующего геттерирующего отжига, которые позволяют уменьшить и упорядочить концентрацию микродефектов в объеме пластины. Подготовка к сборочным операциям включает в себя создание планарной поверхности с обратной стороны. 5 з. п.ф-лы, 5 ил.