Патент №2158324 - Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы. Технический результат - повышение производительности и рентабельности, снижение стоимости процесса. Способ включает размещение плоской основы в камере, подачу потока пара или парогазовой смеси вдоль поверхности плоской основы, нагревание плоской основы протекающим током, осаждение на плоскую основу кремния из пара или парогазовой смеси, извлечение плоской основы с кремнием из камеры, последующую обработку. В качестве плоской основы используют материалы с удельным сопротивлением в интервале 1 10-3 - 50 Ом см, а последующую обработку производят срезанием осажденного кремния с плоской основы. Камера имеет корпус, держатели для плоских основ, установленные в корпусе с возможностью размещения плоских основ горизонтальными рядами, сопла для подачи пара или парогазовой смеси в пространство между рядами плоских основ, штуцер для вывода пара или парогазовой смеси. Введены токоподводы, подсоединенные к держателям. Сопла для подачи пара или парогазовой смеси установлены со стороны стенки корпуса, обращенной к длинной стороне плоской основы. Количество сопел выбрано не меньше двух для каждого промежутка между горизонтальными рядами. 2 с. и 12 з.п.ф-лы, 4 ил.

Патент №2158324, изображение 1
Патент №2158324, изображение 2
Патент №2158324, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК C30B 25/00Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
МПК C30B 29/00Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой