Патент №2175797 - Магниторезистивный датчик

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитных полей, электрического тока. Техническим результатом изобретения является получение магниторезистивного датчика с уменьшенной величиной тока управления в проводнике, что улучшает такие основные характеристики устройства, как потребляемая мощность, нагрев и чувствительность. Сущность: новым в магниторезистивном датчике является то, что над проводником управления расположена тонкопленочная магнитная структура, состоящая из по меньшей мере одной магнитомягкой пленки. При этом тонкопленочная магнитная структура может состоять из двух магнитных пленок, разделенных высокорезистивной тонкопленочной немагнитной прослойкой. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.