Патент №2180932 - Способ получения нитевидных кристаллов

Изобретение относится к новым способам получения кристаллов, используемых в полупроводниковом материаловедении. Способ выращивания нитевидных кристаллов заключается в том, что рост кристаллов осуществляется на материале пластин в камере, заполненной рабочим газом, в поле действия встречных дифракционных полей от рентгеновских излучателей, излучение от которых проходит в камеру через пакет пластин, смонтированных на торцах камеры, а внутри пакета пластин установлены спирали термоподогревателя. Изобретение позволяет технологически упростить и ускорить процесс выращивания кристаллов. Меняя материал пластин и газа в поле дифракционных полей Р-излучения, создают возможность получения различных кристаллических веществ. 2 ил.