Патент №2193439 - Способ получения анизотропной кристаллической пленки (варианты), устройство для осуществления способа (варианты) и анизотропная кристаллическая пленка
Изобретение относится к получению анизотропных кристаллических пленок, находящих применение в микроэлектронике, оптике, в коммуникационных и вычислительных устройствах, декоративно-прикладном творчестве и т.д. Способ заключается в том, что коллоидную систему с анизометрическими частицами подвергают сначала внешнему воздействию для снижения вязкости, затем ориентирующему воздействию, а затем снимают все воздействия или подвергают дополнительному воздействию для восстановления, по крайней мере, первоначального значения вязкости. Второй вариант способа отличается тем, что воздействию для снижения вязкости систему подвергают в емкости, а ориентирующее воздействие оказывается пропусканием через фильеру под давлением. Новый метод кристаллизации позволяет получить анизотропные кристаллические пленки из коллоидных систем. 5 с. и 36 з.п. ф-лы.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК B01D 9/00 | Кристаллизация |