Патент №2194009 - Способ получения силана

Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике. Силан получают взаимодействием кварцита с водородсодержащим соединением при нагревании. В качестве водородсодержащего соединения используют гидрид лития. Реакцию осуществляют в атмосфере инертного газа или водорода при 690-800oС. Плав после остывания обрабатывают водным раствором протонных кислот. Атомное соотношение Li:Si в исходной шихте составляет 8:1. Технический результат - повышение выхода силана с меньшим содержанием примесей и низкой себестоимостью. 1 з.п. ф-лы.