Патент №2207641 - Способ получения плоского сверхпроводника

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу получения сверхпроводников в виде композиционных широких лент и листов с различным числом слоев и жил в слое из высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) соединений, предназначенных для создания электротехнических изделий. Способ получения плоского сверхпроводника включает формирование полой металлической ампулы, заполнение ампулы порошком сверхпроводящего соединения или полуфабриката из расчета конечного коэффициента заполнения моножилы 20-75%, деформацию полученной ампульно-порошковой системы до толщины 0,35-5 мм со степенью деформации за проход 1-20%, резку деформированной ампульно-порошковой системы на мерные части, формирование сложной заготовки путем размещения в оболочке сложной заготовки в виде полого профиля овалообразного или прямоугольного поперечного сечения требуемого количества мерных составных частей или мерных составных частей и армирующих элементов из расчета конечного коэффициента заполнения многожильного плоского сверхпроводника 25-70%, деформацию сложной заготовки до требуемых размеров со степенью деформации за проход 1-18% и термомеханическую обработку в несколько стадий термообработки с промежуточными деформациями между ними при температуре и в течение времени, обеспечивающих формирование в керамике сверхпроводящей фазы требуемого состава и структуры. Техническим результатом изобретения является увеличение критического тока плоского сверхпроводника в 9,3 раза за счет увеличения площади поверхности раздела керамика-оболочка, а также расширение сферы использования за счет увеличения ширины как коротких, так и длинномерных многожильных лент. 22 з.п.ф-лы.