Патент №2227821 - Устройство для выращивания монокристаллов сапфира

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы. Сущность изобретения: в устройстве для выращивания монокристаллов сапфира, включающем вакуумную камеру, тигель с формообразователем, установленные коаксиально тиглю цилиндрический резистивный нагреватель из вольфрамовых прутков, цилиндрический отражатель, вертикальный экран в виде скрепленных между собой молибденовых цилиндров, а также верхний и нижний горизонтальный экраны, отражатель выполнен из двух пар коаксиально расположенных цилиндров из молибдена, полости внутри пар заполнены тугоплавкими материалами, а соотношение внешнего диаметра тигля и внутренних диаметров цилиндрических пар отражателя составляет 1:(1,6-1,8):(2,0-2,2) соответственно, при этом расстояние от прутков нагревателя до оси камеры составляет 0,65-0,75 от радиуса камеры. Кроме того, пары цилиндров отражателя выполнены составными по высоте; полости пар цилиндров отражателя заполнены вольфрамовыми прутками, и/или вольфрамовым порошком, и/или молибденовой губкой, и/или молибденовой губкой с добавлением смеси порошков молибдена и вольфрама. Технический результат заявляемого изобретения состоит в обеспечении возможности получения кристаллов от 20 кг при сохранении их качества и снижении затрат на систему тепловой защиты. 2 з.п.ф-лы, 3 ил.