Патент №2232832 - Устройство для выращивания монокристаллов сапфира

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира. Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве для выращивания монокристаллов сапфира, содержащем установленные в вакуумной камере экраны, нагреватель, затравкодержатель с закрепленным в нем затравочным кристаллом, тигель с крышкой и формообразователем, системы регулирования скорости подъема затравочного кристалла и мощности нагревателя, на крышке камеры укреплен бункер, выполненный в виде цилиндра с конусообразной верхней и нижней частью, объем цилиндра равен объему тигля, нижняя часть содержит запорный клапан в виде усеченного конуса, на верхней части бункера установлен сильфон, который соединен с запорным клапаном с помощью штока, снабженного механизмом ручного или автоматического перемещения, нижняя часть бункера герметично вставлена в трубку для подачи исходного порошкообразного материала, опущенную в тигель через отверстие в крышке тигля. Нижний конец трубки расположен ниже кромки тигля на глубине, соответствующей 0,20-0,25 высоты тигля, а расстояние между осями трубки и тигля составляет 0,20-0,30 диаметра тигля. Техническим результатом изобретения является возможность переработки дешевого порошкообразного оксида алюминия альфа-модификации в виде пудры, сокращение энергозатрат на расплавление исходного сырья и повышение производительности за счет увеличения объема расплава в одном процессе. 1 ил.