Патент №2278447 - Интегральный преобразователь давления

Изобретение относится к измерительной технике. Технический результат изобретения: уменьшение погрешностей преобразователя давления (ПД), таких как температурный дрейф, температурный гистерезис выходного сигнала тестовой схемы, и повышение точностных и надежностных характеристик ПД. Сущность: преобразователь давления содержит кремниевый кристалл n-типа проводимости с плоской рабочей поверхностью и тонкой мембраной в центре кристалла с обратной стороны, на рабочей поверхности которого сформированы радиальные и тангенциальные тензорезисторы р-типа проводимости, соединенные с помощью металлической электрической разводки в мостовую схему. Соединение тензорезисторов с металлической разводкой осуществлено с помощью специально созданных за пределами мембраны и за ее переходными областями промежуточных высоколегированных областей р+-типа проводимости. Высоколегированные промежуточные области р+-типа проводимости охватывают часть мембраны, переходную область и часть кремниевого основания. Промежуточные области р+-типа проводимости имеют одинаковые размеры и форму. 1 ил.

Патент №2278447, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК G01L 9/04Измерение постоянного или медленно меняющегося давления газообразных и жидких веществ или сыпучих материалов с помощью электрических или магнитных элементов, чувствительных к механическому давлению; передача и индикация перемещений элементов, чувствительных к механическому воздействию, используемых для измерения давления с помощью электрических или магнитных средств - резисторных тензометров
МПК H01L 29/84Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления 29/96 имеет преимущество