Патент №2284610 - Способ изготовления мощного высокотемпературного полупроводникового резистора

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных высокотемпературных кремниевых резисторов, имеющих высокую температурную стабильность сопротивления в широком интервале рабочих температур. Техническим результатом изобретения является повышение максимально допустимой температуры мощного кремниевого резистора при сохранении температурной характеристики сопротивления в пределах ±10%, повышение его номинальной мощности и снижение стоимости изготовления. Сущность изобретения: способ изготовления мощного высокотемпературного полупроводникового резистора включает создание в кремниевом резистивном элементе диффузионных приконтактных областей и металлических контактов к ним, введение радиационных дефектов в резистивный элемент путем облучения ускоренными электронами с энергией Е=2÷5 МэВ с последующим термическим отжигом. Облучение ускоренными электронами проводят дозой в интервале от 1,1·1015 см-2 для кремния с исходным удельным сопротивлением 0=120 Ом·см до 2,1·10 см-2 для кремния с исходным удельным сопротивлением 0=7 Ом·см, термический отжиг проводят в интервале температур 260-280°С. 1 ил., 5 табл.