Патент №2302015 - Преобразователь высокоэнергетических частиц и способ получения пленки

Изобретение относится к области выращивания эпитаксиальных монокристаллических пленок для измерения рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного и космического излучений и промышленно применимо при изготовлении детекторов ядерных частиц, нейтронов, - и -частиц, -квантов, сцинтилляционных и рентгеновских экранов. Технический результат изобретения: повышение, эффективности преобразования высокоэнергетических частиц в излучение люминесценции видимого диапазона. Сущность: преобразователь высокоэнергетических частиц содержит монокристаллическую подложку 1, эпитаксиальную пленку 2, а также дополнительные пленки 3, 4 и 5. Эпитаксиальная пленка содержит ионы свинца и/или висмута, причем эпитаксиальная пленка содержит также, по меньшей мере, и один химический элемент из группы Се, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, V, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Cd, Sn и Sb. Способ получения пленки предполагает размещение изоморфной монокристаллической подложки в переохлажденный раствор-расплав, по меньшей мере, два раза на время от 0,1 с до 100 мин. Шихта для приготовления раствора-расплава содержит PbO и/или Bi2 O3, В2О 3 и, по меньшей мере, один кристаллообразующий оксид. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 1 ил.

Патент №2302015, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК C30B 19/00Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев
МПК G01T 1/202Измерение рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного и космического излучений - кристаллических