Патент №2310928 - Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства. Техническим результатом является повышение плотности записи данных, пониженное потребление энергии и упрощение процесса изготовления запоминающего устройства. Магнитная память включает в себя одну или более парных ячеек, каждая из которых имеет многослойную магнитную структуру. Структура содержит магнитно-изменяемый ферромагнитный слой, ферромагнитный базовый слой, имеющий неизменяемое состояние намагниченности, и соответствующий разделительный слой, разделяющий ферромагнитные слои. Ячейки памяти упорядочены таким образом, что эффективная остаточная намагниченность каждой из ячеек не параллельна оси ячейки, параллельной ее длинной строне. Способы описывают процесс функционирования такого устройства. 3 н. и 43 з.п. ф-лы, 30 ил.