Патент №2331950 - Способ изготовления фотодиодов на кристаллах антимонида индия n-типа проводимости
Способ изготовления фотодиодов на кристаллах антимонида индия n-типа проводимости включает подготовку пластины исходного кристалла антимонида индия, формирование р-n перехода имплантацией ионов бериллия с постимплантационным отжигом, нанесение защитной и пассивирующей диэлектрических пленок и формирование контактной системы. Согласно изобретению используют пластины исходного кристалла антимонида индия с концентрацией примеси 6·10 13-2·1014 см -3, имплантацию ионов бериллия производят при энергии 20-40 кэВ и дозе имплантации (0,8-1,2)·1014 см-2, постимплантационный отжиг производят стационарно при температуре 350-375°С в течение 20-30 минут с поверхностной капсулирующей пленкой SiO2 . Изобретение обеспечивает увеличение токовой чувствительности фотодиодов на InSb. 1 табл.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 21/265 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - с внедрением ионовтрубки с ионным пучком для локальной обработки H 01J 37/30 |
| МПК H01L 31/18 | Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частейдля изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей вообще 21/00 |