Патент №2335037 - Способ изготовления крупных квазимонокристаллов высокотемпературных сверхпроводников

Изобретение может быть использовано при производстве сверхпроводниковых элементов для магнитных подшипников быстровращающихся роторов и высокополевых квазипостоянных магнитов, а также в любой отрасли машиностроения и приборостроения, где требуется создание высоких постоянных магнитных полей и бесконтактных пассивных магнитных подвесов, например в магнитных сепараторах или в транспорте на магнитной подушке. Сущность изобретения: в способе изготовления крупных квазимонокристаллов высокотемпературных сверхпроводников состава Y(RE)BaCuO для выращивания кристаллов изготавливают квазимонокристаллическую затравку, размещают ее на поверхности заготовки и подвергают заготовку кристаллизации, при этом затравку вырезают в виде параллелепипеда таким образом, чтобы две противоположные длинные грани соответствовали кристаллографической плоскости (001) затравки, а ребра длинных граней ориентируют в кристаллографическом направлении [110]±30°, при этом ширина затравки должна быть минимальной, но обеспечивающей устойчивость положения затравки на поверхности заготовки. Техническим результатом изобретения является получение крупных объемных квазимонокристаллов из высокотемпературных сверхпроводников состава Y(RE)BaCuO, где RE - редкоземельные элементы, такие как Gd, Sm, Nd, Eu и др., при одновременном сокращении времени кристаллизации. 6 ил.