Патент №2354000 - Способ обработки монокристаллических эпитаксиальных слоев нитридов iii-группы

Изобретение относится к полупроводниковой технологии для получения эпитаксиальных слоев нитридов III-группы. Сущность изобретения: в способе обработки монокристаллических эпитаксиальных слоев нитридов III-группы путем облучения быстрыми нейтронами с последующим нагревом, отжигом и охлаждением, облучению подвергают эпитаксиальные слои при плотности потока нейтронов не более 10 12 см-2·с-1, флюенсом =(0,5÷5,0)·1016 см-2; отжиг проводят при 800-900°С в течение 20 мин, нагрев ведут со скоростью 10-30 град/мин, охлаждение до температур 450-500°С ведут со скоростью 5-10 град/мин, а далее со скоростью 20-40 град/мин до комнатной температуры. Техническим результатом изобретения является улучшение электрофизических характеристик эпитаксиальных слоев. 2 табл.