Патент №2371811 - Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты) и способ его изготовления (варианты)

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит двухстороннюю рабочую поверхность, подложку, полупроводниковые планарные слои p- и n-типа, просветляющее покрытие и металлические контакты с двух сторон генератора. Конфигурация и площадь контактов на тыльной стороне совпадают в плане с конфигурацией и площадью контактов с рабочей стороны. Толщина базовой области не превышает диффузионную длину неосновных носителей заряда. Генератор выполнен из m последовательно соединенных по всей плоскости диодных планарных n+-p-p+ (p+-n-n+; n-p-p+; p-n-n+); или n-p структур из полупроводникового материала (m=3, 5, 7 (2i-1), где i=1, 2, 3 ), один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышает диффузионной длины неосновных носителей тока в базовой области, а толщины диодных структур, равноудаленных от лицевой и тыльной поверхностей генератора, совпадают и увеличиваются при удалении от лицевой и тыльной поверхностей обратно пропорционально максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале базы диодной структуры. Так же согласно изобретению преложен еще один вариант выполнения полупроводникового фотоэлектрического генератора и два варианта способа изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора. Изобретение обеспечивает увеличение рабочего напряжения и повышение эффективности преобразования электромагнитного излучения и возможность работы с концентрированным излучением. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.