Патент №2372692 - Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Aly Ga1-yAs, где у - молярная доля Al, и расположенной между ними потенциальной ямы, различающихся шириной запрещенной зоны и толщиной слоя, потенциальная яма выполнена из GaAs и при концентрации Si в контактных областях 5×1018-7×10 18 1/см3 толщина слоя ямы составляет от 8 до 16 атомарных слоев, молярная доля Al в барьерных слоях составляет от 0,4 до 1, толщина барьера составляет от 6 до 30 атомарных слоев. Изобретение позволяет обеспечить создание смесительного диода с формой вольт-амперной характеристики, обеспечивающей расширение рабочей полосы частот при одновременном увеличении динамического диапазона и уменьшении потерь преобразования смесителя. 2 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК B82B 1/00 | Наноструктуры |
| МПК H01L 29/72 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы |