Патент №2393585 - Способ формирования полупроводниковых структур

Изобретение относится к области производства полупроводниковых структур кремния и германия и может быть использовано при изготовлении структур для интегральных микросхем, в том числе требующих диэлектрической изоляции отдельных компонентов, дискретных приборов и солнечных элементов. Сущность изобретения состоит в том, что в способе формирования полупроводниковых структур эпитаксиальный слой на исходной пластине наращивают с использованием пластины-источника в режиме химического переноса полупроводника в галогенсодержащей водородной атмосфере с пластин на соседние пластины через зазор при минимальном протоке реагентов или в застойной атмосфере. Использование изобретения позволяет снизить затраты на изготовление эпитаксиальных структур для интегральных схем, дискретных приборов, в том числе и солнечных элементов. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.