Патент №2413330 - Способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения: в способе получения атомно-тонких монокристаллических пленок, включающем выделение тонких монокристаллических фрагментов из исходных слоистых монокристаллов, соединение их с рабочей подложкой и формирование атомно-тонких монокристаллических пленок, после соединения тонких монокристаллических фрагментов с рабочей подложкой помещают рабочую подложку в плазменный реактор и осуществляют последовательное стравливание слоев с тонких монокристаллических фрагментов используя низкоэнергетический монохроматический ионный пучок с энергией, изменяемой в процессе травления, причем пучок ориентирован преимущественно перпендикулярно плоскости рабочей подложки. Техническим результатом изобретения является повышение размеров атомно-тонких монокристаллических пленок. 14 з.п. ф-лы, 5 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК B82B 3/00 | Изготовление или обработка наноструктур |
МПК H01L 21/20 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание |